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第三代半导体中的典型代表碳化硅，因其具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高饱和电子速率、抗辐照等诸多优越的物理性质，使得碳......
研究了氟等离子体离子注入对Au/Ni/n-GaN二极管的电学和光学特性的影响.结果 表明,离子注入后,器件的反向泄漏电流从1×10-5 A降低......
为顺应集成电路设计对器件提出更高性能要求的趋势,提出一种高性能折叠I型栅无结场效应晶体管,主要研究此类产品在不同栅极长度下......
