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氮化镓(GaN)器件是第三代功率半导体的重要代表,GaN功率器件相比与传统硅(Si)器件有更强的耐压能力,相同耐压下导通电阻极低,损耗小,其......
随着无线通信技术的发展,雷达技术被广泛地应用于目标识别、定位探测及医疗健康监测等领域。T/R(Transmitter and Receiver,T/R)组件......
近年来,非晶半导体薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)由于具有良好的机械柔韧性、与任意基板的兼容性、低成本和低温下大面积可......
提出了一种基于石墨烯纳米条带阵列的光电探测器(GNR-PD)结构, 讨论了器件的解析模型。基于二维泊松方程, 在弱非局域近似条件下建......
简介 集成电路(Ic)的静电放电(ESD)强固性可藉多种测试来区分。最普遍的测试类型是人体模型(HBM)和充电器件模型(CDM)。这......
在普通850nm垂直腔面发射激光器基础上制备出带有金属纳米颗粒结构的微小孔径垂直腔面发射激光器。当小孔和金属颗粒的直径分别为4......
结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变......
针对传统建模方法较复杂的问题,提出一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)行为建模的方法。用一组简单方程描述了......
近年来,由于其轻薄的特性,可携带性,良好的机械与电子性能,柔性电子的研究取得了广泛的关注。对于这些集成于柔性衬底上的电子器件......
集成电路的器件模型在集成电路工业中扮演着极其重要的角色。模型参数提取又是器件建模中极为关键的一个必须的步骤。集成电路发明......
介绍了SiC材料的生长及器件制备技术,分析了目前SiC器件及集成电路等方面的研究现状,并讨论了存在的各种问题.
The growth of SiC material......
在文献[1]的积分型光子“晶体管”的模型研究的基础上,利用螺塞喃光致色变材料进行了积分型“光子四端管”的模型实验研究,并对其应用器......
负电子亲和势(NEA)光电阴极,由于其优异的性能,受到各个国家广泛的关注,并投入大量的人力、物力进行了多年的研究.中国开展相关研......
由于高压器件有很多区别于标准MOS器件的特点,BSIM3模型用于VLSI中高压轻掺杂漏MOS器件(HVLDMOS)的模型存在不足。本论文主旨是对VL......
该文围绕团簇与纳电子原型器件特性的计算机模拟这一主题,选取该主题下的若干重要问题进行了研究探索.第一章概述了团簇科学的研究......
随着电力电子技术的迅速发展和推广应用,利用计算机仿真对电力电子电路进行分析和研究得到了日益广泛的重视。尽管目前一些仿真软......
本文系统研究了4氢碳化硅(4H-SiC)材料的物理性质,分析计算了4H-SiC宽禁带半导体材料的禁带宽度Eg和载流子迁移率μ等材料参数,并依据......
在可控串联电容补偿装置(TCSC)的研究中,用电容、电感、晶闸管、MOV等元件构造TCSC器件模型.选择合适的步长、触发控制方法和暂态......
从数值解源端和饱和点的表面电势出发 ,考虑模拟电路对 SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区......
期刊
研究了超薄栅氧 MOS器件的直接隧穿 (direct tunneling,DT)电流模型问题 .利用修正的 WKB近似方法(m odified WKB,MWKB)得到电子隧......
完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作.使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特性......
提出了一种基于保角映射方法的14nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件栅围寄生电容建模的方法。对FinFET器件按三维几何结构划分寄生电......
<正>随着移动通信技术的发展,LTE等准4G移动通信网络已经大规模部署,以LTE-A为代表4G标准已开始投入商用,下一代的5G通信标准也已......
提出了一种Windows XP平台下模拟集成电路仿真软件的开发方法,利用Visual C++软件开发工具开发了仿真软件功能,采用C编译器CYGWIN......
微波单片集成电路和射频集成电路频率和集成度的提高使设计复杂化,对计算机辅助设计的依赖性更强,元器件行为的精确描述和仿真器的......
研究了界面态对4H-SiC MESFET的肖特基栅接触的影响.栅接触工艺主要采用Ti/Pt/Au蒸发,经过剥离后形成.基于热电子理论提出了一种参......
在带有应变SiGe沟道的SOIMOSFET结构中 ,把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管 (SiGeSOIBMHMT) .在SIVACO软件的器件数值模拟......

