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ZnO是室温下激子束缚能高达60 meV的II-VI族直接宽禁带(3.37 eV)半导体材料。纳米 ZnO不仅具有纳米材料的特性，同时还兼具半导体材......
本文采用恒电流密度氧化法,控制电流密度,氧化时间,及氧化温度在不同电解液中制备了不同孔径高度有序的AAO模板。随着电流密度的增......
在同一基底上构建甲基与氨基表面自组装膜模板,将模板浸入多壁碳纳米管N,N-二甲基甲酰胺(DMF)分散液中,由于氨基与甲基表面自组装......
