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基紫外光发射器件相关论文
金属局域表面等离子体修饰的ZnO异质结紫外光发射器件研究
宽禁带(3.37eV)半导体ZnO具有高达60meV的激子束缚能,易在高温下获得激子发射,是发展紫外光发射器件的理想候选材料。目前已成为继GaN......
学位
Ag局域表面等离子体
MIS异质结
PIN异质结
ZnO异质结
基紫外光发射器件
发光增强
自发辐射速率
内/外量子效率
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