与传统VDMOS、沟槽MOS器件不同,功率器件屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET在沟槽中栅极的下方加入了多晶硅屏蔽栅极,并且与源极的电位相同,在垂......

屏蔽栅沟槽MOSFET（Shielded-GateTrenchMOSFET,SGT）是投入商用的中低压领域中最先进的MOSFET技术,SGT利用二维电荷平衡原理突破传统......

提出了一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型.在直流模型中使用两端电势建立JFET区等效电阻模型,并引入电子扩散区等效电阻,......