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Mg、H掺杂ZnO的第一原理研究
ZnO是一种六角纤锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下其禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,具有优良的光电性质。ZnO发光......
学位
氧化锌
密度泛函
第一性原理
带边调制
半导体材料
Mg掺杂
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