应变硅相关论文
应变硅技术是现代半导体的一项关键技术,可以有效提升器件的载流子迁移率以及性能。应变硅技术已大规模应用于先进CMOS工艺中,同时......
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应变硅技术可以提升载流子的迁移率,是提高半导体器件性能的关键技术之一。自1990年代首次实现应变硅MOSFET以来,应变硅技术已被认......
随着智能终端的出现以及新型业务的迅猛发展,网络中的信息流量一直处于爆炸式增长中,作为移动网络、互联网以及物联网的物理承载层......
应变硅能够提高电子和空穴的迁移率，有希望成为高性能金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)的n型和p型沟道材料。以绝缘体上弛豫的S......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系......
本文分析了微电子新技术Strained-SOI MOS器件的基本结构,讨论了用注氧隔离的方法制备器件的方法与步骤,阐述了Strained-SOI MOS器......
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NM......
本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布.沟道压应变是利用......
期刊
应变Si CMOS技术是当前研究发展的重点,其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础.基于密度泛函理论框架的第一......
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化......
在分析(111)Si基应变材料[应变Si/(111)Si1-xGex、应变Si1-xGex/(111)si]能带结构的基础上,获得了其态密度有效质量与应力及温度的......
期刊
成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底......
