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光电探测器是一种可以将光信号转换成电信号的器件,它在光通信、光谱学、环境监测、生物传感器领域有着广泛的应用。近年来,由于卤......
氧化锌（ZnO）是直接带隙半导体,其带隙宽度为3.37 eV,具有大激子结合能（60 meV）、强抗辐射性等优点,使其在紫外探测器、发光二极管以及......
ZnO材料近年来成为半导体光电器件领域的研究热点。当传统的ZnO薄膜受限于p型掺杂的问题而遇到瓶颈时,微纳器件由于其灵活多变的器......
ZnO作为一种直接宽带隙的半导体材料(禁带宽度为3.37e V和高达60me V激子结合能)备受人们关注,ZnO还具有低成本、高稳定性和抗辐射......
单斜结构β-Ga2O3是一种超宽带隙(4.9eV)的新型半导体材料,在新一代电力电子器件和光电器件领域有着广阔的应用前景。β-Ga2O3无需......
宽禁带金属氧化物半导体在光电子技术领域具有很大的应用潜力,近些年,大量的研究已经聚焦在这些领域:如太阳能电池、光电探测器、......
低维三元B-C-N纳米材料如B-C-N纳米管（B-C-NNTs）和B-C-N纳米片（B-C-NNSs）具有宽带隙,良好的导热性,热稳定性和抗氧化性等优异的性能,而......
ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37e V，激子束缚能高达60meV，这些优点使其在紫外光电器件方面有着广泛的应......
通过改变生长源中氧化锌与碳粉的比例,利用化学气相沉积的方法生长出曲边ZnO微米线,并通过扫描电子显微镜对曲边ZnO微米线进行形貌......
