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超宽禁带半导体闪烁晶体氧化镓的研究进展
作为一种新型超宽禁带半导体闪烁材料,β-Ga2O3具有以下显著特点:室温下可获得几纳秒的快发光成分;理论光产额可达40800 MeV-1;斯......
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