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掺质相关论文

掺质极宽禁带半导体β-Ga2O3单晶光电性质调控研究进展

近年来,β-Ga2O3材料的研究和应用成为国际上的热点.由于β-Ga2O3禁带宽度大(4.8～4.9 eV),击穿场强高达8 MV/cm3,其单晶可以通过多......

期刊

宽禁带半导体 β-Ga2O3 晶体掺质光学性质电学性质

掺质YAP晶体结构及释光性能

摘要：YAP晶体以其斜方晶系结构导致的各向异性和高低增益的单晶取向的结构优势，使其具有熔点低、晶体生长提拉速度快的优势、稀土离......

期刊

YAP晶体掺质热释光发光谱线

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