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利用等离子源离子注入 (PSII)技术对冷作模具钢材料Crl2MoV进行不同温度范围的处理 ,研究了温度在离子注入中对材料表面改性的影响......

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Cr12MoV PSII 氮注入温度效应

埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响

研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响 .实验发现 ,与不注氮的SIMOX基片相比 ,由注氮SIMON基片制作......

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SOI nMOSFET 氮注入电子迁移率阈值电压

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