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意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5×6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已......
随着人工智能时代的到来,半导体芯片技术的发展越来越迅速,模拟集成电路的地位也越来越重要,国家对集成电路的支持力度也在迅速增......
随着电子技术的发展,FET已广泛地得到应用。但是由于增强型MOSFET参数不足,给电路分析带来困难。本文对增强型MOSFET的饱和漏极电......
通过控制微波功率场效应管的漏极电流可以实现脉冲调制，具有通断比高、脉冲上升/下降沿陡峭的特点，能够有效地提高功率放大器的效率......
在半导体器件中,闪存存储器已经渗透到我们生活的各个方面。然而随着器件尺寸的持续减小,闪存存储器自身存在的一种缺陷——随机电......
分析了对铁电场效应晶体管漏极电流特性有影响的铁电材料参数,设计了具有单层和双层栅介质结构的铁电场效应晶体管,并进行了仿真研......
本文介绍一款用大电流型MOS-FET2SK2554作输出管的直流功率放大器.该类大电流型场效应管原来是用于工业用机器人电机控制的开关器......
N沟道MOSFET概述N沟道MOSFET有三个电极,分别是源极S、漏极D和栅极G.当VGS=0时,漏、源极之间无原始导电沟道,Io=0;当VGS＞0但是比较......
