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ZnSe具有禁带宽、直接带隙跃迁、激子束缚能大和能以任何比例组成任何合金等优点，又是熟知的发光、激光和光学非线性材料。因此......
ZnSe作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有禁带宽、直接带隙跃迁，激子束缚能大，光、电性能优良等优点，这使其成为蓝绿色发光、激光以......
学位
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在Si表面生长GaAs薄膜。先通过活化剂活化Si表面 ,再采取两步生长法外延GaAs单晶薄膜 ,最后进行断......
