直流反应溅射相关论文
在室温,不同氧分压条件下,采用Zn靶直流反应溅射在石英衬底上制备了具有纤锌矿结构(002)择优取向的ZnO薄膜。薄膜的生长速率随氧分......
以制备出性能优异成本低廉的低辐射镀膜玻璃为目的．通过直流磁控反应溅射技术在玻璃（或单晶硅）表面制备（Al，Ti）N薄膜作为低辐射镀膜玻璃......
采用直流反应溅射法分别在Si(111),Si(001),及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影......
用直流溅射方法制备氮化锆薄膜,其晶体结构,氮原子组分以及电阻率都与溅射气氛中氮气分量有直接关系.用X射线衍射分析薄膜结构,随......
报道了用直流反应溅射法在低氧分压条件下(6．0×10^-3～8．0×10^-3Pa)沉积ZrO2介质膜的制备工艺，XRD分析表明该条件下制备的zd0......
采用直流反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备出了Y2O3隔离层，并研究了基带温度与H2O分压两个因素对Y2O3薄膜的织构取向以......
采用直流反应磁控溅射在具有双轴织构的Ni-5％W基底上快速沉积了Y2O3种子层，随后外延生长GdxZr1-xO（x=0．5，0．1）和YSZ三种阻挡层。研究表明，Y......
通过磁控反应溅射,在玻璃基底上制备了不同溅射温度下的氧化钛薄膜。通过对其光电性能的分析测试,探讨了溅射温度对氧化钛薄膜性能......
采用直流反应溅射法，在一定的溅射功率和衬底温度等条件下控制气体组分，优选Ar：O2—8：1成功研制出高响应度n-ZnO／p-Si紫外至近红外增强......
随着超大规模集成电路（VLSI）的发展，晶体管尺寸越来越小，传统的栅介质SiO2不能满足下一代器件栅介质的需求，研发高k介质代替SiO2栅介质......
通过工艺参数的优化,采用直流反应溅射工艺成功地制备了具有良好的电化学循环稳定性的多晶氧化钨薄膜.Raman散射光谱研究表明:随着......
