硬磁畴相关论文
该文首次研究了在转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)、第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)和第Ⅱ类哑畴(ⅡD)的变化规律,实验发现转动面内场作用下三......
1983年,日本九洲大学的小西进(Konish)提出了超高密度布洛赫线存储器(BLM)方案.BLM存储技术就是抒磁泡拉长为条状磁畴,用条畴畴壁......
该文实验研究了含Lu样品中的硬磁畴(含Lu样品中只能产生OHB和ID)在面内场作用下行为.首先,实验研究了直流偏场"整形"和面向场交替......
本文实验研究了石榴石磁泡薄膜中第一类哑铃畴的温度特性，具体测量了ⅠD在条泡转变标准场H_(sb)’和硬泡标准场H_O’处畴长随温度的......
本文从低直流偏场法出发，实验研究了石榴石磁泡薄膜样品中的硬磁畴的动态特性和温度特性以及产生正、负垂直布洛赫线(VBL)的条件。 ......
超高密度固态布洛赫线存储器(BLM)是以硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBLs)作为信息载体，硬磁畴畴壁中VBLs产生及其稳定性的研究对超高......
本文实验研究了外延石榴石磁泡薄膜样品中三类硬磁畴(普通硬磁泡OHB、第一类哑铃畴(ID)、第二类哑铃畴(IID))畴长随直流偏场的变化......
1983年，Konish提出了超高密度布洛赫线存储器(BLM)方案。BLM存储技术采用条状磁畴中的负布洛赫线(VBL)对作为信息的载体，以VBL对的有......
石榴石磁泡薄膜中的微结构和磁特性的研究，既有实际应用价值，又有理论意义。本文实验研究了立方磁晶各向异性对石榴石磁泡薄膜中软、......
