碲锌镉相关论文
本文采用光抽运-太赫兹探测技术研究Cd0.96Zn0.04Te的载流子弛豫和瞬态电导率特性。在中心波长800 nm的飞秒抽运光激发下，Cd0.96Zn0......
移动加热器法生长碲锌镉晶体时，界面稳定性对晶体生长的质量有很大影响。本文基于多物理场有限元仿真软件Comsol建立了移动加热器法......
碲锌镉探测器具有本征能量分辨好、单位体积探测效率高、可在室温工作等优点,是核辐射探测领域的研究热点.本文介绍了碲锌镉晶体材......
碲锌镉（CZT）晶体被认为是目前最有前途的室温半导体探测器材料之一，因为其原子序数大、电阻率高、禁带宽度大，相较于传统材料探测器件......
精准探测碳离子束流剂量-深度分布是碳离子治癌中精确将束流剂量投放至病灶的重要依据。目前,束流剂量-深度测量:的方法主要有正电......
红外光热吸收效应作为一种无损伤非接触的检测技术, 已经被广泛用于硅等半导体材料中的微缺陷表征分析.采用光热吸收技术对碲锌镉......
心肌灌注显像在已知或可疑冠状动脉疾病患者的诊疗过程中发挥着重要作用，应用碲锌镉探测器的心脏专用SPECT的分辨率和灵敏度均得到......
目的对配置碲锌镉(CZT)探头的临床前SPECT仪同时采集99Tcm和123I数据进行评估。方法采用含约37 MBq 99Tcm－替曲膦(99Tcm－TF)或37 MBq......
期刊
通过研究碲锌镉衬底(112)B面缺陷腐蚀坑和(111)B面缺陷腐蚀坑之间的关系,揭示了(112)B面腐蚀坑与材料缺陷之间的关系。结果显示,Ev......
本文详细分析了可形成康普顿坪的3个关键过程中γ射线能量沉积的特点,以碲锌镉探测器为主探测器,锗酸铋闪烁体为反符合探测器,设计......
在富Te生长条件下,通过垂直布里奇曼法制备的部分碲锌镉晶体内存在导电类型转变界面。采用富Te液相外延技术在含有导电类型转变界......
目的 针对核设施热点成像应用设计康普顿相机的探测器和读出电子学系统.方法 采用两块像素型碲锌镉探测器分别作为康普顿相机的散......
碲锌镉(CdZnTe,CZT)晶体是重要的第三代软脆半导体材料,具有优异的光电性能,由其制成的室温核辐射探测器在空间探测、环境监测及医......
CdZnTe核辐射探测器由于可在室温下工作,并且对X、γ射线有较高的探测效率和较好的能量分辨率,因此可广泛应用在核安全、坏境监测......
CdZnTe核辐射探测器可在室温下工作且具有很高的探测效率，并对X、γ射线有较高的探测效率和较好的能量分辨率，广泛用于安检、工业探......
CdZnTe单晶体是最重要的红外光电子材料之一，它既可用作高性能红外探测器HgCdTe的外延衬底材料，同时也是制备高能x射线、γ射线探测......
碲锌镉晶体以其优异的室温核辐射探测与红外探测性能，受到了越来越多的科研工作者的重视。其中以摩尔比为：0.96:0.04:1的碲锌镉晶体......
碲锌镉(CdZnMTe，简写为CZT)为Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料，具有闪锌矿结构，是一种重要的半导体材料。碲锌镉晶体电阻率高、原子序数大、......
该论文应用英国RENISHAW公司生产的System2000Raman显微镜分析系统、日本MAC SCIENCE公司生产的18KWHFX射线衍射系统、我们研制的......
采用Cd096Zn0.04Te靶,利用射频磁控溅射制备碲锌镉薄膜,通过改变基片温度、溅射功率和工作气压,制得不同的碲锌镉薄膜.将制备的碲......
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本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察......
高质量的碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,然而目前碲锌镉材料中的第二相夹杂物严重制约着晶体的质量.根据红......
通过对材料减薄,并采用红外透射显微镜观察的手段,实现了对A面和B面腐蚀坑的同时观察.结果发现采用标准腐蚀剂在同一晶片的(111)A......
用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷。刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存......
碲锌镉(CdZnTe)作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,因其具备优异的光电性能,成为制备室温辐射探测器的理想材料。但生长态的CdZnT......
