碲镉汞薄膜相关论文
基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元(500μm×500μm)的n-on-p结构的p-n结,并对相......
报道了在水平、常压ＭＯＶＰＥ实验型生产装置中，采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ），用金属有机化合物ＤＭＣｄ、ＤｉＰＴｅ和元素Ｈｇ，在ＣｄＴｅ和ＧａＡｓ衬底上生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜，其组分和薄膜厚度的均匀性......
俄罗斯科学院西伯利亚分院半导体物理研究所设计并制作了若干用于3μm～12μm光谱范围的光电探测器组件.这些光电探测器组件都是以用......
采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表......
针对碲镉汞薄膜化学抛光过程中容易产生材料组分均匀性变差、影响芯片性能的现象,提出了一种分步化学抛光技术。材料表面分析和组......
在中波响应波段的p型Hg0 70 9Cd0 2 91 Te(MCT)分子束外延生长薄膜上 ,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光......
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HgCdTe薄膜表面损伤层厚度测试对其加工工艺及其重要。本文采用白光干涉仪对HgCdTe薄膜表面粗糙度测试,并与损伤层厚度对比,研究发......
