碳化硅MOSFET相关论文
受内部寄生参数与结电容的影响，碳化硅（SiC）功率器件在高速开关过程中存在极大的电流电压过冲与高频开关振荡，严重影响了SiC基变换器的......
由于碳化硅（SiC）MOSFET具有高频、低损耗、高耐温特性，在提升新能源汽车逆变器效率和功率密度方面具有巨大优势。对于SiC MOSFET功率......
针对因器件击穿、控制失效等问题导致的串联短路现象，基于半桥结构分析了SiC MOSFET及Si IGBT不同的串联短路动态分压特性。同时，结......
以碳化硅（silicon carbide,SiC）MOSFET为代表的第三代宽禁带半导体器件,已广泛应用于开关电源、电动汽车和智能电网等领域。由于SiC ......
碳化硅MOSFET的短路坚固性是影响器件在高压高频功率变换领域应用的关键问题。在传统的碳化硅MOSFET栅源极短路研究中，依据器件关断......
结温测量是功率半导体器件热表征、可靠性研究、状态监测以及健康管理的重要基础,其中温敏电参数法响应快速且无需破坏封装,十分适......
为有效评估换流回路的寄生参数对碳化硅MOSFET开关特性的影响,首先建立了考虑换流回路寄生参数的完整的碳化硅MOSFET开关暂态电路......
SiC集成电路相比于Si集成电路,具有耐高温、耐高压和抗辐照等优势,可工作在各种恶劣的环境中,广泛应用于航空航天、石油和天然气、......
碳化硅器件因其优异的材料特性,在耐温、耐压、高功率密度和高频性能方面展现出独特的优势。于此同时,被广泛应用于电力电子的硅器......
由于碳化硅MOSFET芯片生产制造工艺尚不够成熟,导致芯片参数分散性很大,使其在并联应用时的开关能量产生很大的差异.特别是在高频......
随着碳化硅MOSFET器件在功率变换领域的广泛应用,碳化硅MOSFET器件的瞬态可靠性问题成为研究热点.文章主要研究了1 200 V SiC MOSF......
