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碳化硅（SiC）功率器件作为第三代宽禁带半导体,相对硅（Si）器件而言,具有耐高温、高压和高频的特性。因此被广泛地应用在电力电子器件的......
本文从MOS管电容模型出发详细分析了MOS源漏自举电路的自举物理过程,认为其中负载管栅电容主要起耦合作用.所得自举率公式、输出达......
采用硅光电池阵列作为接收机探测器,在Matlab/Simulink环境中建立了可见光通信(VLC)系统模型,对硅光电池阵列的U-I特性和输出功率......
摘要：结合电力电子技术中电力二极管结构，分析了电力二极管的电容效应、结电容对频率的影响、线性等效电路，同时对教材上容易忽视的几......
在该文中,我们对传统的半导体二极管电特性的检测方法—电容-电压(C-V)和电流-电压(I-V)方法进行了详尽的讨论,重点分析了它们的不......
为解决谐振腔增强型(RCE)光探测器的耦合效率和响应速率的矛盾,提出了采用特殊图案透明欧姆接触的微结构及其制备工艺方案,从而使......
期刊
为提高静电放电（ESD）防护器件的开启速度,减小被保护电路的损伤概率,在0.18μm CMOS混合信号工艺下,研究了结构参数、脉冲幅值对基于......
