退火效应相关论文
铁素体/奥氏体异种钢焊接接头是核电和火电装备中常见的接头形式。然而,由于此类异种钢焊接接头存在不均匀的材料组织和力学性能、......
本文用椭圆偏振光谱法研究了低温（７７Ｋ）、中等能量（１４７ｋｅＶ）、剂量分别为３×１０１３及４×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２的ＢＦ２＋分子离子注人Ｓｉ的损伤及退火效应．根据样品椭圆偏振参数与Ｃ－Ｓｉ的比较确定......
针对始终处于加电状态工作模式的半导体激光器,通过分析单个粒子对器件的辐射过程,将空间辐射效应离散的描述为所有单粒子造成辐射......
锆钛酸铅薄膜材料因具有优异的铁电、压电、热释电等性能受到研究人员的广泛关注。以锆钛酸铅铁电薄膜为关键材料的传感器、存储器......
本文为研究1 MeV电子辐照倒置四结(IMM4J)太阳电池InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)关键子电池的退火效应,将辐照后的两种子电池在6......
系统研究了退火效应对飞秒激光脉冲驱动的基于钴铁硼/重金属异质结辐射太赫兹波的影响.通过对发射样品进行退火处理,在钨/钴铁硼结......
本文利用光照和暗条件下太阳电池电学特性的测量和数值模拟的方法,研究了带电粒子辐照下单结及三结GaAs太阳电池的电性能的变化规......
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本文通过地面模拟空间环境试验,研究了低能电子(60keV～150keV)辐照下航天器上实用的带盖片的GaAs/Ge太阳电池的辐照损伤效应。通过......
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半金属锰氧化物因其具有丰富的物理内涵和广泛的应用前景,吸引着众多科学家的注意。其中La2/3Sr1/3MnO3 (LSMO)是常见的半金属材料......
文章研究了CMOS器件(LC54HCO4RH)60Coγ射线的总剂量辐照实验以及辐照后在100℃温度场下的退火效应.实验发现,辐照后,器件在加温和......
用Raman散射技术分析了 1 71 .2MeVS9+和 1 2 0keV的H+离子在C60 薄膜中电子能损引起的效应 ,即晶态→非晶态转变 .在H+离子辐照的......
用Raman散射和XPS技术分析了能量为几百keV到几百MeV的多种离子在C60薄膜中引起的辐照效应. 分析结果表明,在低能重离子辐照的C60......
通过比较1 Mbit商用静态随机存储器(SRAM)在6种不同偏置条件下器件参数(静态和动态功耗电流)和功能参数(错误数)随辐射总剂量、退......
用 Ｒａｍａｎ（拉曼）散射技术分析了 １２０ｋｅＶ的 Ｈ， Ａｒ和 Ｆｅ离子在 Ｃ６０薄膜中引起的辐照效应，主要指由晶态向非晶态的转变．分析结果表明，在Ｆｅ和Ａｒ离子辐照的Ｃ６０薄膜中，核碰撞......
对ＶＯ２薄膜进行不同剂量的γ辐照处理，利用ＳＥＭ和ＸＰＳ对辐照前后的薄膜进行分析，发现γ辐照诱导Ｖ离子出现不同价态之间的转变现象，并且价态变化的程......
在用阻抗谱研究PbWO4 (PWO)晶体的介电特性时发现 ,掺La3+ 的PWO晶体中存在典型的介电弛豫现象 ,它被归因于La3+ 进入Pb位并与铅空......
