键合技术相关论文
为解决应用于液体电介质局部放电超声信号检测的非本征光纤法-珀传感器（Extrinsic Fiber Fabry-Perot Interferometor， EFPI）检测灵敏......
低温直接键合不同于传统的阳极键合、中介层键合和高温键合,无需外加电场、键合中介层和退火高温的引入,键合界面主要依靠表面活化......
基于氧等离子体活化的硅硅直接键合是一种新型的低温直接键合技术。为了优化工艺参数,得到高质量的键合硅片,选用正交试验法,研究......
成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III~V族半导体材料。综述了近期III~V族外延片与SOI(silicon-o......
着重分析了晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响,并从表面残留颗粒统计意义的角度,得到了一个晶圆键合的判定标准。为了改善键合界面......
发光二极管(简称LED)是一种固态半导体器件,它可以直接把电能转化为光能。垂直结构LED作为LED中的一种,因其独特的结构优势,具有散......
研究了基于Al_2O_3中间层的InP/SOI晶片键合技术。该方案利用原子层沉积技术在SOI晶片表面形成Al_2O_3作为InP/SOI键合中间层,同时......
4.3 半导体键合技术(SBT)制备的四～五结叠层聚光电池rn2014年9月,德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道,他们采用SBT研制的四......
相对成熟的技术可以制作出无源光学器件,高效光源以及高性能光的探测还需要使用到III～V半导体材料.基于此,本文首先分析了SOI和III～V......
为比较真实地模拟可动微机电器件侧面间的摩擦磨损状况,进而研究MEMS器件的摩擦磨损规律,设计和研制了一种基于单晶硅材料的微摩擦......
