【摘 要】
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采用MOCVD生长技术以AlO为衬底对GaN基材料及蓝光LED外延片生长进行了研究。用霍尔测量技术、光致发光技术、X射线衍射及原子力显微镜测量了GaN基材料的电学性能、光学性能、
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所广东广州510631
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采用MOCVD生长技术以Al<,2>O<,3>为衬底对GaN基材料及蓝光LED外延片生长进行了研究。用霍尔测量技术、光致发光技术、X射线衍射及原子力显微镜测量了GaN基材料的电学性能、光学性能、结晶性能以及表面形貌。生长GaN外延膜的厚度为2.5微米时,其(002)面和(102)面X射线双晶衍射峰半高宽分别为225arcsec, 256arcsec。原子力显微镜测量其位错密度为8×10<7>/cm<2>,表明其质量良好。对蓝光LED外延片的结构设计和生长进行了研究,获得了较好的结果。
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