【摘 要】
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金属纳米颗粒辅助刻蚀(MACE)作为一种新型的半导体材料刻蚀方法,因其操作简单、高效、成本低等优点得到了广泛关注.本研究采用两步金属纳米颗粒辅助刻蚀法(2-MACE)在商用
【机 构】
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昆明理工大学 冶金与能源工程学院,云南 650093
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
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金属纳米颗粒辅助刻蚀(MACE)作为一种新型的半导体材料刻蚀方法,因其操作简单、高效、成本低等优点得到了广泛关注.本研究采用两步金属纳米颗粒辅助刻蚀法(2-MACE)在商用多晶片表面引入大规模硅纳米线阵列,研究了不同实验条件(沉积时间、HF 酸浓度、H2O2 浓度、腐蚀时间)对硅纳米线阵列减反效率的影响,研究结果表明：硅纳米线阵列的引入,可以有效地降低硅片对入射光的反射效率,在较优的实验条件：沉积时间120s,HF 酸浓度4.6M,H2O2 浓度0.2M,腐蚀时间5min 所制备的样品,在入射光波长250～800nm 范围内,其平均反射率从36.9％降低至5.6％.
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