【摘 要】
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碳化硅(SiC)具有优越的材料性能,在高温、高频、大功率器件领域有广阔的应用前景,是近年来国际半导体领域研究热点之一.本文首先通过Ansys14.0模拟的方法建立热分析模型,研究
【机 构】
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西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西西安 710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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碳化硅(SiC)具有优越的材料性能,在高温、高频、大功率器件领域有广阔的应用前景,是近年来国际半导体领域研究热点之一.本文首先通过Ansys14.0模拟的方法建立热分析模型,研究了影响4H-SiC PiN热阻的因素,分析了增加器件面积或减小器件和粘结层厚度可以有效地降低器件热阻,有助于器件热量耗散,从而达到提高器件热可靠性的目的.最后结合Sentaurus TCAD数值模拟软件建立热力学模型进行电热仿真,得出环境温度越高,器件截面产生有越大的热通量促使温度升高,器件内外温度梯度越小,热耗散越不容易进行而导致电流加剧退化的结论.
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