GaN器件相关论文
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）以其独特的材料和结构特性,具有高工作频率、高功率密度,以及高效率的特性,是目前无线系统的研究......
数字控制LCL型并网逆变器的固有控制延时会影响原有谐振阻尼方案的控制特性，从而降低并网逆变器在弱电网下的鲁棒性。该文首先基于......
期刊
氮化镓（GaN）器件是第三代功率半导体的重要代表,GaN功率器件相比与传统硅（Si）器件有更强的耐压能力,相同耐压下导通电阻极低,损耗小,其......
半导体电子器件技术作为推动社会信息化发展的基石,在过去六十年里不断地更迭进步,传统硅（Si）材料器件的性能逐渐逼近理论极限无法满......
随着第三代宽禁带半导体技术的发展,在航空航天、通信、数据中心等领域,小型化开关电源被日益广泛的应用,高频高功率密度化的开关......
GaN器件的工艺和技术进步,将输出功率提高到数百瓦甚至数千瓦量级。但是,大功率GaN器件相应的使用规范和标准,如接地要求,在仿真设......
近几十年来,互联网技术飞速发展,基础电信设备和移动设备的规模大幅度增加,这对能源的利用和供电系统的性能均提出了严峻的挑战。......
随着社会的发展与技术的进步，人们对电力电子变换器效率和功率密度的要求日益提高，使得第三代功率半导体如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)......
现代LTE移动通信系统采用峰均比较高的调制信号，需要用功率回退的方式来保证线性度，然而功率回退又会造成效率的降低，这给通信基站 RR......
航空高压DC-DC变换器是航空高压直流电源系统的重要组成部分,需要具有较高的功率密度和变换效率。采用GaN器件可以提高航空高压DC-......
反激式电路具有诸多优点,比如拓扑结构简单、输入输出电气隔离、元件数量少、可靠性高等,因此在开关电源领域得到了广泛的应用。但......
燃油汽车的应用极大改善人类的生活质量,但燃油汽车大量消耗不可再生能源,产生环境污染和噪声污染。针对这种情况,电动汽车应运而......
学位
随着近年来开关电源逐渐向小型化、高频化、高功率密度的方向发展,基于氮化镓和碳化硅等宽禁带半导体材料的功率开关器件因其导通......
本文采用GaN器件设计了S波段的功率放大器,采用负载牵引的方法获得最佳负载阻抗值,优化最大功率输出,结果显示,在中心频率2.14GHz......
在通讯设备和新一代数据中心服务器等领域，小型化电源模块被广泛应用。高频化是提升电源功率密度的重要手段，然而高频化引起的开关损......
随着能源互联网与分布式电网的发展,未来电网正朝着以整合可再生能源、能源存储以及现代智能负载为目标的交直流混合动力网方向快......
学位
为了提高功率放大器(Power Amplifier,PA)的效率,提出一种基于双向牵引与谐波抑制的对称式Doberry功率放大器(Symmetrical Doherty......
作为新一代半导体功率器件,GaN(氮化镓)宽禁带半导体功率场效应管具有许多Si材料不具备的优异性能,可降低损耗,提高效率,完成器件......
随着新一代宽禁带器件的出现,应用于LLC谐振变换器上的功率半导体器件的总体性能有了进一步的提高。本文以氮化镓晶体管为研究对象......
本文介绍了一种新的高功率双向隔离式DC/DC变换器。DC/DC转换器使用基于氮化镓(GaN)的功率开关器件。本文对10 kW GaN大功率DC/DC......
介绍了一种新的高功率双向隔离式DC/DC变换器作为高功率转换系统的主要电路。DC/DC变换器使用基于氮化镓(GaN)的功率开关器件。对1......
期刊
随着能源消耗与环境污染的日益严峻,可再生能源发电技术成为现代应用中的热点。其中,以光伏发电为代表的可再生能源发电技术备受关......
电动汽车由于其具有可靠性高、安全性好、成本效益低、对环境十分友好等特点,成为了新时代人们关注的焦点。车载电源作为电动汽车......
无线通信系统和标准多元化发展的同时,系统智能化程度越来越高。可重构技术作为实现系统智能化的关键技术,利用开关和变容器件对无......
介绍了GaN材料的优良特性以及工艺上存在的问题;着重介绍了GaN微电子器件的历史发展和最新发展;GaN微电子器件发展表现出较大应用......
为系统解决高电压复杂电磁场环境塔基设备供电问题,提出一种基于GaN(氮化镓,第三代半导体材料)器件的多米诺中继型无线供电系统及......
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利用63Ni和3H源等分别辐照两种可作为辐伏电池换能单元的GaN基和Si基PiN结型器件,比较了他们的输出电性能结果,以及两种器件的温度......
传统的隔离型DC/DC变换器,由于电路拓扑和器件的限制,开关频率不能随着电力电子技术的发展而提高,导致电路的体积过大、效率低下等......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
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随着社会的发展,人们对逆变器提出了更多的要求。传统的模拟控制有控制方式单一、调试繁琐、硬件成本高等缺点。微处理器ARM的出现......
近年来,在电源转换技术的应用中,高集成度的Si基功率半导体器件有了显著的发展。但随着高频和高功率密度转换器的应用需求不断增加......
随着逆变器应用场合的不断扩展,装置的高功率密度性成为研究的新趋势和热点。提高装置的功率密度,需要利用高开关频率减小其中无源......
利用63Ni和3H源分别辐照两种可作为辐伏电池换能单元的GaN基PiN结型器件，其输出短路电流（Isc）和开路电压（Voe）分别为：对于63Ni源，Isc=5．4nA......
现代开关电源的发展呈现高效率和高功率密度的趋势。基于GaN器件LLC谐振变换器,采用同步整流技术,通过平面变压器的设计和结构优化......
阻抗匹配在高频设计中是一个常用的概念,它是指负载阻抗与激励源内部阻抗互相适配,得到最大功率输出的一种工作状态。介绍了一种利......
文中基于第三代半导体GaN功率器件的特点,研制了L波段一体化星载固态功率放大器。通过对承受高功率的多层结构宽边耦合器的仿真,设......
我国的发光二极管（LED）技术从1960年代开始起步,并以Ⅲ-Ⅴ族的化合物半导体为基础发展起来,到目前已经发展成为规模庞大的产业。在19......
对高频工况下氮化镓（GaN）器件的开关特性精确测量进行了研究，基于市面上两种不同类型的GaN器件，对其开关特性进行对比测试，分析高频工况......
针对氮化镓(GaN)器件,传统的驱动电路是电压源型驱动,在高频下充放电回路中的寄生电感会引起栅源电压振荡,超过GaN器件的栅源耐压......
本文在分析目前GaN高功率微波器件研究现状的基础上,总结了GaN高功率微波器件及芯片的关键技术和发展趋势,仅供相关领域的学者参考......
