【摘 要】
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本文在考虑了AlxGa1-xN/GaN异质结压电和自发极化效应的基础上,通过求解泊松方程,建立了AlxGa1-xN/GaN量子阱沟道中电子面密度和阈值电压模型.应用MATLAB软件对该模型进行了
【机 构】
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西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文在考虑了AlxGa1-xN/GaN异质结压电和自发极化效应的基础上,通过求解泊松方程,建立了AlxGa1-xN/GaN量子阱沟道中电子面密度和阈值电压模型.应用MATLAB软件对该模型进行了数值分析,结果表明极化效应对电子面密度和器件阈值电压影响较大.本文还讨论了器件中Al组分和势垒层厚度静态时对量子阱电子面密度的影响,以及它们对器件阈值电压VT的影响,并对其进行了模拟.
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