该论文工作用溶胶-凝胶法制备了纯纳米SnO<,2>和不同SiO<,2>掺杂量的纳米SnO<,2>粉末.采用X射线衍射、穆斯堡尔谱和正电子湮没寿命谱等实验手段进行了材料微结构和性能的研究.分析了纳米晶粒长大的一般过程,以及热处理温度、热处理时间、压制压力和掺杂等因素对晶粒生长的影响.研究表明,随着热处理温度的升高,晶粒晶化生长分为两个阶段,当处理温度低于晶化临界温度时,纳米SnO<,2>晶粒生长缓慢,在这个温度范围内长时间热处理,晶粒粒径没有发生明显的增长;高于晶化温度后,生长速度变快,晶粒快速长大.在上述过程中,超精细参数和材料界面的各种缺陷也发生相应的变化.长时间的热处理将使界面缺陷逐渐恢复.掺入不同含量的SiO<,2>将对纳米SnO<,2>晶粒生长发生不同程度的抑制作用.掺入SiO<,2>越多,抑制作用越强.掺入一定量的SiO<,2>有助提高材料的热稳定性.模压成块后热处理的纳米SnO<,2>材料晶粒生长明显慢于松散粉末.压力的抑制效果与掺杂量相关,掺入5%SiO<,2>的纳米晶粒生长受到压力和掺杂的双重抑制,压力效应最为明显.纳米SnO<,2>的化学活性较强.纳米晶粒尺寸和掺杂都会对材料的阻温特性产生影响.掺杂可使电导峰展宽和发生移位.