本论文包含两部分:系列掺杂电子型铜氧化物超导体La2-xCexCuO4(LCCO)薄膜的制备和输运性质以及莫特绝缘体VO2薄膜中场致金属绝缘转变的研究。主要内容包括:　　 (1)探讨各种生长条件对不同掺杂浓度下的LCCO薄膜物性的影响,得到各掺杂浓度下的最佳生长条件；测量系列掺杂浓度LCCO薄膜的纵向电阻和Hall系数的输运性质,研究其费米面随掺杂的演变,发现在x=0.15掺杂浓度附近有一个大的空穴型费米面形成。　　 (2)利用输运测量和X射线衍射等方法研究了厚度对最佳掺杂LCCO薄膜中氧含量的调制作用。生长了不同厚度下的具有最佳超导特性的样品。输运测量表明厚度过薄的薄膜中存在多余的氧。X射线衍射表明LCCO与SrTiO3基片之间的晶格失配使得过薄的LCCO薄膜感受到来自于基片的压应力增强,从而导致过薄的薄膜中去氧难度增加,薄膜中氧含量增多。　　 (3)在完善基于音叉的原子力显微镜/静电力显微镜(AFM/EFM)系统的过程中,改进AFM方式使其实现了导电原子力显微镜(c-AFM)功能。用c-AFM/EFM系统研究了VO2的局域金属绝缘相变。c-AFM测量明确给出VO2薄膜局域Ⅳ曲线中具有回滞效应的电阻跳变,它是由局域的金属绝缘转变所导致。EFM的结果直接支持此局域的金属绝缘转变是由电场所导致,而非热效应。