随着显示和照明技术的不断革新,具有发射光谱连续可调、窄线宽发光、光化学性质稳定、高荧光量子产率和可溶液工艺制备等优势的量子点（quantum dots,QDs）以及基于量子点有源层的量子点发光二极管（quantum dot light-emitting diodes,QLEDs）受到了学术界和工业界的广泛关注。但是,目前QLED器件仍然存在电子和空穴传输/注入不平衡等问题,这严重制约着QLED器件性能的提高及其商用进程。针对空穴注入/传输远低于电子注入/传输这一问题,本论文分别从空穴传输层和量子点发光层两方面开展工作,通过对其进行表/界面修饰来增强空穴注入/传输能力,并最终提高了器件性能。本论文的主要研究内容和结果如下:1.利用1,3,5-三（溴甲基）苯（TBB）作为表面改性剂对空穴传输层-聚乙烯基咔唑（PVK）薄膜进行后处理来缓解量子点发光二极管中的载流子注入不平衡问题。利用多种测试技术研究了 TBB后处理对PVK空穴传输层形貌、能级、电学性能以及QLED器件性能的影响。结果表明,TBB后处理可提高PVK空穴传输层的表面平滑度,并使其最高占据分子轨道（HOMO）能级从-5.83 eV下移至-6.01 eV,从而有利于提高空穴由PVK向量子点发光层的注入效率。与未处理的QLED器件相比,TBB处理后器件的电流效率、外量子效率和功率效率分别提高了 35.09%、46.25%和28.85%,达到 16.67 cd/A、12.08%和14.07 lm/W。同时,TBB后处理也使启亮电压从2.35 V降至2.22 V。2.通过溶剂介导的固相配体置换方法,用短链1,2-乙二硫醇（EDT）配体部分替换了覆盖在QD表面上的原始长链油酸（OA）配体,并研究了溶剂（乙腈和乙醇）介导的EDT配体置换对量子点性质和器件性能的影响。研究结果表明,当使用乙醇代替乙腈作为EDT的溶剂时,EDT和OA之间的配体置换更加充分,这不仅能够改善QD之间的电荷传输,而且能够增强QLEDs中的空穴电子注入平衡。利用EDT（乙醇）配体置换后的QD所制备的QLED器件（EE-QLED）最高亮度达到190200 cd/m2,最大电流效率达18.34 cd/A,峰值外量子效率达到12.26%,最大功率效率达到9.60 lm/W,明显优于那些基于EDT（乙腈）配体置换量子点的QLED器件（EA-QLED）和基于原始量子点的QLED器件（P-QLED）。另外,对EE-QLED和P-QLED器件的积极老化进程进行了研究。结果表明,在整个老化过程中,EE-QLED的器件性能总是优于P-QLED器件,EE-QLED的最大亮度和最大功率效率分别在老化5天和8天后到达峰值,达到282400 cd/m2和23.30 lm/W,而最大电流效率和峰值外量子效率则在老化11天后达到最大值,分别为35.91 cd/A和24.00%。器件性能的提高可能主要归因于紫外固化树脂释放的酸性物质钝化了金属氧化物电子传输层中的缺陷,抑制了空穴泄漏电流。