非磁Cr层的插入对Tb/Fe(FeCo)薄膜层间耦合作用的调控

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稀土元素(RE)一般具有较强的自旋轨道耦合,但居里温度较低,研究表明通过在铁基过渡金属及合金(TM)中加入稀土元素,可以改善铁基过渡族元素自旋轨道相互作用,但稀土与铁基金属或合金形成的非晶结构或磁矩的反铁磁耦合会使总磁矩降低。Cr间隔层的加入可以有效调节稀土与铁基金属或合金层之间的耦合,在达到缓和磁矩降低的同时,也可以实现其对层间耦合的调控,有利于拓展稀土在自旋电子学中的应用。不同与以往研究大多使用的铁磁共振和超快磁光克尔效应,此论文以四探针法测磁电阻和振动样品磁强计为主要手段,通过分析磁电阻(MR)、各向异性磁电阻(AMR)和磁滞回线及其参数的变化,实现了分析RE/Cr/FM层间耦合的目的。同时文中辅以X射线衍射仪和原子力显微镜研究样品的结构和形貌。论文中利用高真空直流磁控溅射仪制备的RE/Cr/FM结构薄膜中,稀土层选择自旋轨道耦合作用较强、各向异性较大的Tb;铁磁层选择具有相对高饱和磁化强度的Fe和FeCo合金薄膜。RE层和FM层的厚度分别为4 nm和5 nm。通过研究发现:(1)具有不同Cr层厚度(t Cr=0~4 nm)的Tb/Cr/Fe薄膜,利用X射线衍射仪发现室温下生长的Tb/Fe和Tb/Cr/Fe多层膜都形成明显的Tb(100)结晶峰,且相同Fe层厚度上Cr的加入有利于Tb的结晶。Cr的厚度大于1nm时,Tb层的加入对薄膜矫顽力(Hc)的影响不大,但是Tb层的加入会导致较大的饱和场(Hs),而且Hs会随着Cr层厚度(t Cr)的变化而振荡。通过进一步分析AMR得到其随Cr层厚度呈振荡趋势,且与Hs~t Cr曲线具有一致的振荡趋势,验证了中间Cr层的自旋极化导致了层间交换耦合引起的振荡。通过磁电阻(MR)计算得到反铁磁交换耦合常数J,两者具有相同的随t Cr的振荡趋势,且与Hc/Hs的振荡趋势相反,进一步证实了反铁磁层间交换耦合的存在。(2)具有不同Cr层厚度(t Cr=0~4 nm)的Tb/Cr/FeCo薄膜,利用X射线衍射仪发现薄的Tb层具有较宽且强度较小的衍射峰,随着Tb层厚度的增加,衍射峰强度增强,较宽的衍射峰也逐渐分为hcp(002)和fcc(111),在Tb的厚度为50 nm时,几乎只观察到较强的hcp(002)衍射峰。室温下,Tb/FeCo薄膜比FeCo薄膜小的单位面积的饱和磁化强度(Ms)意味着FeCo磁矩与Tb磁矩的反平行排列,这种反平行耦合随着Cr的插入迅速减弱,在Cr厚度为1.5nm时,界面效应导致了Ms比FeCo大。低温5K下,Tb的铁磁性和较大的层间耦合出现了磁滞回线在磁场方向的位移。在没有冷却场的情况下,Tb/t Cr(t Cr=1-4 nm)/FeCo中出现正的交换偏置,而Tb/FeCo则为负交换偏置。Tb/FeCo的负交换偏置意味着由界面处FeCo和Tb的亚铁磁层中Co和Fe占主导地位。随着Cr层的插入,亚铁磁层中FeCo占主导地位的情况被打破,正交换偏置意味着反铁磁层间耦合。当t Cr=1.5 nm时,交换偏置场(He)的峰值为6.0 m T,对应于Hc在5 K时随t Cr变化的最小值。冷却过程中磁场对于磁有序及其方向很重要,使用具有最大He的Tb(4 nm)/Cr(1.5nm)/FeCo(5 nm)三层膜研究了冷却场(Hfc=0和100 m T)对交换偏置的影响,He随温度(T)的变化函数。发现对于T≤15 K,100 m T冷却场使薄膜的He从正变为负。这意味着对于Hfc=100 m T,界面耦合被克服,因此AFM或亚铁磁层的行为独立于FM层,磁化偏移总是向上的,即在冷却场的方向上产生一个磁矩。室温和低温5 K的磁阻结果证实了系统中多种MR机制的共存,这归因于包含异质结结构的磁性多层系统。
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