众所周知,半导体材料具有许多金属导体材料所无法比拟的优点,已被广泛应用于航天、航空、电子等诸多领域.硅烷、锗烷及各种取代硅烷、取代锗烷是制备含硅、锗类半导体材料的重要原材料.研究它们与各种自由基的双分子反应及它们的单分子热解反应的机理及动力学性质,对了解半导体材料的制备过程具有重要的意义.该文用高水平从头算及变分过渡态理论加小曲率隧道效应校正,对含硅、锗类材料合成中的一些重要反应进行了系统的研究.主要包括以下四类:H原子与SiH<,(4-n)>X<,n>(X=F、Cl)及GeH<,(4-n)X<,n>(X=CH<,3>、F、Cl)的反应;O(3>P)原子与(CH<,3>)<,2>SiH<,2>、(CH<,3>)<,3>SiH、SiH<,2>Cl<,2>及Si<,2>H<,6>的反应;Ge<,2>H<,6>及Si<,2>H<,6>与H原子的反应;H<,3>GeOH及H<,3>SiOH的热解.论文中对每一个反应的机理作了详细的阐明,并用变分过渡态理论深入地研究了动力学性质,获得了许多有价值的成果.