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石墨烯具有优异的光学、电学、机械等特性,被视为新型材料的突破口;GaN基材料具有直接宽禁带、热稳定性强、高功率等性质,已经成为“继硅之后最重要的半导体材料”。如何将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合,发挥两种材料体系的优势,将为光电子、微电子器件的发展带来新的契机。目前,关于石墨烯与GaN基材料相结合的研究处于起步阶段,虽然已有报道利用石墨烯做电极来提高GaN基LED的发光效率,但是,在石墨烯与GaN相结合方面,仍存在诸多需要解决的问题,例如目前,通常利用转移的方式,将生长在Cu衬底上的石墨烯转