非晶硅/晶体硅异质结太阳电池具有高效率、高稳定性等特点，并因可在低温下制备，而具节约能源的优势，是制造低成本、高效率太阳电池的有效技术途径之一。采用本征非晶硅薄层对硅片表面进行钝化是获得高效电池的关键。本论文采用VHF-PECVD技术制备非晶硅材料，对非晶硅/晶体硅异质结界面的钝化以及电池的单室制备工艺进行了研究。论文的主要研究内容如下:　　 1、研究了本征非晶硅材料、氢等离子处理以及退火对硅片表面钝化的影响，同时结合表面形貌分析等手段，从材料微结构的角度分析影响钝化的原因。　　 高质量本征非晶硅钝化材料的制备:适当提高氢稀释率以及辉光功率密度有助于提升材料的钝化效果。氢稀释率过高，则易造成硅外延生长现象的产生，过高的功率密度也会促使材料中微晶粒团簇、空洞等缺陷的增多，恶化钝化效果。　　 对硅片表面进行氢等离子体处理也可优化钝化效果。短时间的氢处理有清洁和钝化硅片的作用;氢处理时间过长，则离子轰击作用会对硅片及薄膜表面造成损伤。通过优化氢处理及非晶硅沉积条件，样品平均少子寿命达到233μs，样品中最大少子寿命为582μs。退火可以使样品中的硅氢键重组，促使非晶硅体材料中的氢迁移到硅片表面，降低界面悬挂键密度，改善钝化效果。退火后样品的平均少子寿命达到274μs，样品中最大少子寿命达707μs。　　 2、采用单室VHF-PECVD技术，制备非晶硅/晶体硅异质结电池。研究了窗口层、本征非晶硅钝化层对电池性能的影响;并对单面结构的异质结电池进行了优化，对双面结构的电池也进行了初步实验。　　 窗口层材料缺陷态密度较高或与本征层能带失配较大，会导致电池内部载流子复合增大，电池特性变差，甚至出现J-V曲线“S型形变”现象。通过优化，制备出电导率高于10-6S/cm，可用于非晶硅/晶体硅异质结电池的p型a-Si∶H窗口层材料。　　 在异质结间插入本征非晶硅钝化层，可以有效钝化硅片表面悬挂键，改善界面特性，提升电池性能。本征层厚度的选择应兼顾钝化效果及对电池性能的各方面影响。适当的氢处理也可改善异质结界面特性。经过优化，在单室中获得光电转换效率为12.85％(Voc=0.524V，Jsc=35.61 mA/cm2，FF=68.8％)的非晶硅/晶体硅异质结电池。　　 单面结构的异质结电池中，由于硅片背表面与金属Al电极直接接触，有较大的表面复合速率，限制了电池性能的提高。在硅片背表面制备ia-Si∶H/n+a-Si∶H背场，形成双面结构的电池。将单室VHF-PECVD技术制备的非晶硅/晶体硅异质结电池开路电压提高至0.586V。