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来源 :中国科学院微电子研究所 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
闪速存储器(Flash Memory)是目前占据统治地位的非易失性半导体存储器(NVSM).它以低功耗,小体积,高密度,可重复擦写等引人瞩目的特性创造了现在的"移动时代".浮栅器件作为闪
【作 者】
:
李多力
【机 构】
:
中国科学院微电子研究所
【出 处】
:
中国科学院微电子研究所
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
闪速存储器
Flash Memory
浮栅器件
SONOS器件
电荷陷阱
衬底偏置
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