薄膜应力对薄膜的光学性能、机械性能以及抗激光损伤等特性都有重要影响。为了减小和改变红外薄膜的应力，本论文开展了ZnS、YbF3制备工艺与薄膜应力关系以及后期退火处理对薄膜应力影响的研究。　　本文首先利用热蒸发的方法，在单面抛光的单晶硅(Si)基底上，在不同离子源功率的情况下制备ZnS单层薄膜。用干涉仪、椭偏仪、分光光度计、X射线衍射仪(XRD)和原子力扫描电镜(AFM)分别对ZnS薄膜的面形、光学常数、晶体结构、表面形貌进行测量，并且计算应力的大小。分析结果:ZnS薄膜受压应力作用，离子源辅助沉积会使其应力增加，薄膜晶粒大小更加均匀和致密，折射率也更高。在28.5度附近存在明显的ZnS(111)衍射峰，离子源辅助沉积使择优取向更加显著。综合分析:离子源功率为360W，薄膜性能最佳。然后在离子源功率为360W时，探究薄膜厚度对应力的影响。并对其晶体结构、光学常数、表面形貌和应力进行了表征。发现单层膜的应力随厚度的增加而增大，到达一定厚度便转而减小。最后制备3个功率为360W，厚度为1微米的ZnS薄膜，在300℃、400℃和500℃下分别对3个样品进行退火处理，比较它们的晶体结构、光学常数、表面形貌和应力变化。　　然后制备了YbF3单层膜，结果显示YbF3受张应力作用，离子源辅助沉积会使其应力减小，折射率增加，粗糙度减小。用X射线衍射发现YbF3并没有衍射峰，为非晶态。离子源功率为360W时，YbF3薄膜应力随厚度的增加先增大后减小。　　最后，制备了不同的ZnS/YbF3薄膜，分别探究多层膜的应力性质和光学性质。并且进行了退火处理，用分光光度计测量了退火后的光谱曲线。