集成电路的集成度在最近的几十年一直遵守着摩尔定律，以每18个月翻一番的速度不断增加，芯片的特征尺寸也随之不断缩小，集成电路制造工艺越来越精细，这给设计和制造等一系列领域提出了许多新的要求，也带来了许多深刻的变化，这其中包括RET(分辨率增强技术)的广泛应用。随着集成电路的特征尺寸逐渐下降到光刻所用的光源波长之下，由于光的衍射和光刻胶显影蚀刻等因素带来的不可避免的影响，硅片上实际印制出来的图形与设计图形不再一致，这使得如今的制造工艺已经离不开RET技术的支持，而OPC(光学邻近效应校正)则是RET技术中的一项重要内容。尽管OPC技术的广泛应用使得如今的光刻技术能够印制的图形越来越精细，然而在进入到90nm时代以后，OPC校正的运算时间过长，灵活性不高，难以利用版图的层次化结构等问题逐渐暴露出来，成为了制约集成电路制造技术继续发展的一个重要瓶颈。本文提出了一种新的基于Cell的光学邻近效应校正方法，其流程包括预校正单元库的准备，掩模图形偏移量的初始化和利用动态调整算法进行快速运算等步骤，这种新的方法较好的解决了OPC过程中图形间的相互影响问题，并提出了一种新的方法(Segment-Moving Map)来直观的分析这种影响波及的范围和形状，从而充分的利用版图的层次化结构，使在深亚微米条件下由于计算量太大而被认为成本很高的高精度掩模版制备过程在新算法的帮助之下得以大大降低运算复杂度，减少OPC校正所消耗的时间，同时，这种方法为集成电路设计过程提供了含预校正结果的单元库，使得设计工程师能够更加灵活有效的对设计进行检查，并能够花费更少的代价的对已完成的设计进行修改。本文中采用计算总的EPE(Edge Placement Error)来分析结果误差，实验结果表明，这种方法将OPC的速度提高了5倍左右，并且保持了与传统OPC相同的精度。