近年来硅作为半导体材料已经广泛应用于各种电子产品上,人们似乎已经不在关注一个与其有着十分相似的化学性质的材料锗。但是实际上锗在太阳能电池、光传感器、红外LED以及锗激光器方面都有着很大的前景。并且最近很多人都在去尝试制作硅锗薄膜,进展也十分喜人。而在研制这些材料时,需要确定非晶态材料结晶过程中两相系统（非晶态和晶态）中晶相的体积分数。因此迫切需要开发一种光学方法来监测两相（非晶/晶体）薄膜的相组成。最有前途的方法是拉曼光谱法。为了确定两相系统中的结晶相的体积分数,有必要找到结晶材料和无定形材料的拉曼横截面之比。最近有人尝试确定了结晶硅和非晶硅的拉曼横截面的比率,但是结晶锗和非晶锗的拉曼横截面的比率尚且无人研究。在本论文中研究了玻璃基板上的非晶态氢化锗（Ge:H）薄膜。为了使Ge:H膜结晶,使用了在氩气中进行炉内退火的方法。退火温度为450℃,时间为2和4小时。为了获得具有各种微晶尺寸的纳米晶锗膜,使用了脉冲激光退火。使用波长为308纳米的XeCl激光器,其脉冲持续时间为15纳秒。PLA期间脉冲中的能量密度（激光能量密度）从50到90mJ/cm~2不等。然后使用拉曼光谱研究非晶和结晶膜。因此,首次确定了单晶和纳米晶Ge的拉曼横截面与非晶Ge的横截面之比（参数（?））。对于单晶Ge,该比率为4;对于纳米晶Ge,该比率随着纳米晶体尺寸的减小而单调减小。获得的结果可用于定量确定两相Ge膜中结晶相的分数。