共溅射法制备MgxZn1-xO薄膜及光电性能研究

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【摘要】

：

MgxZn1-xO薄膜是一种新型的宽带隙半导体材料,通过改变ZnO中Mg的含量可使禁带宽度从3.37eV～7.8eV间连续可调,在紫外探测和发射方面有广阔的应用前景。本论文采用双靶射频磁控共溅射法制备了MgxZn1-xO薄膜,选用的衬底分别为蓝宝石、石英和Si。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计等仪器对所制备的MgxZn1-xO薄膜进行了表征和分析,并讨论了工

【作者】

：

隋光辉

【机构】

：

长春理工大学

【发表日期】

：

2011年03期

【关键词】

：

MgxZn1-xO薄膜共溅射溅射功率紫外探测器

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