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微电子器件在快速发展,器件的性能不断完善,集成度不断提高,随着超大规模集成电路的特征线宽不断减小,导致信号传输延时、功耗增大以及互连阻容耦合增大等问题,器件工作频率受到限制。为了解决这一问题,人们正在发展新的互连材料、新的互连结构以及新的互连方式。采用新的互连结构来取代目前的Al/SiO_2结构已成为解决纳电子器件互连问题的主要选择,于是低介电常数(low-k)材料越来越引起人们的注意。研究表明,非晶氮化碳薄膜(CN_x)是一种很有前景的low-k材料,在力学性能、化学稳定性等方面完全满