【摘 要】
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Si基Ⅱ-Ⅵ族发光晶体材料具有极其广泛和潜在的应用前景，然而在Si衬底上却难以生长出高质量的外延片。在Ⅱ-Ⅵ族材料外延生长之前采取一些必要的对Si衬底的处理措施可以显著的
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Si基Ⅱ-Ⅵ族发光晶体材料具有极其广泛和潜在的应用前景，然而在Si衬底上却难以生长出高质量的外延片。在Ⅱ-Ⅵ族材料外延生长之前采取一些必要的对Si衬底的处理措施可以显著的提高晶体的外延质量。 本文利用MOCVD技术，采用各种对Si衬底处理的方法，如氢终止法、氮化法、等离子体轰击方法、两步生长法、溅射缓冲层法等进行了试验与研究，通过X射线衍射技术(XRD)、光致发光技术(PL)、扫描电子显微术(SEM)、透射电子显微术(TEM)等检测，并对其X射线衍射光谱、拉谱光谱、吸收光谱及不同温度下的光致发光光谱分析，发现外延晶体的生长质量得到了明显提高。在实验过程中，我们也发现Ⅱ-Ⅵ族源气体的流量比、衬底温度、退火时间和退火温度对外延晶体的生长质量也有重要的影响。
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