准确地测量微波集成电路及高速器件的高频特性,是微波集成电路与器件发展的重要条件。传统的测试方法是把芯片封装后放在测试盒中进行测试,由于封装的影响,无法精确地得到集成电路及其器件的高频性能。微波在片测试技术的出现解决了这一难题。应用微波在片测试技术,在半导体芯片封装之前,直接在芯片上对集成电路和器件进行高频性能测试,实现在片筛选,提高了微波半导体工业的生产效率。本文主要研究了用矢量网络分析仪与微波探针台测量在片器件的问题。首先从矢量网络分析仪的测量体系结构入手,分析测量过程中的误差来源与描述方法,介绍误差修正理论的基本原理。通过对TRL校准方法原理的分析与公式推导,分析了TRL校准方法的本质,并编制了相应的TRL校准程序。根据微波探针的尺寸和所需要测量的频率范围设计了对应的TRL校准件,并对TRL校准方法中多条延迟线的选取问题做了一些探讨。最后,用PC机、矢量网络分析仪和微波探针台搭建了在片测试系统,并对HMMC5618放大器进行了测量,以此来验证本文自行编写和设计的TRL校准程序和TRL校准件的准确性。