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具有独特层状结构的半导体材料MoS2近年来引起了业内人士的广泛关注。已有研究表明，向单层MoS2中掺杂过渡金属原子可获得磁性，有望成为新一代稀磁半导体材料。通常，人们只关注通过何种方式获得磁性，却忽略了获得磁性的同时，MoS2材料可能会失去本身的半导体特性而呈现一定的半金属特性，从而不能作为良好的稀磁半导体材料进行应用；除此之外，MoS2物理化学性质特殊，单层材料与双层材料的性质不尽相同，对单层材料的研究结果并不一定适用于双层材料。针对以上问题，本文对单层MoS2及双层MoS2分别进行过渡金属原子掺杂的电子结构与磁性质的理论研究，并提出了调节掺杂体系半金属特性、使其具有良好半导体特性的方法。本文采用基于密度泛函理论的平面波赝势法，首先以3×3×1的单层MoS2超胞为研究模型进行第一性原理计算，结果表明纯MoS2不显磁性，过渡金属原子Cr掺杂的MoS2不显磁性，V、Mn、Fe掺杂MoS2可获得磁性，且Mn、Fe掺杂获得的磁性更大，但掺杂体系呈现半金属性质；对于Mn掺杂MoS2，本文提出对其掺杂IVA族Si原子的方法，计算结果表明，非磁性原子Si的引入，改变了Mn掺杂MoS2体系的半金属特性的能带结构，是一种禁带宽度为0.7eV的间接带隙半导体，同时，对体系的磁矩没有影响；对于Fe掺杂MoS2，对其继续进行N原子掺杂，可调节体系的半金属特性，Fe、N共掺杂的MoS2是具有磁性的禁带宽度为0.2eV的间接带隙半导体。其次，对3×3×1的双层MoS2超胞为研究模型进行原理计算，结果表明未掺杂的双层MoS2不具有磁性，是禁带宽度为1.590eV的直接带隙半导体；掺杂计算结果表明，除Cr掺杂的体系具有半金属材料的特征外，其他V、Mn、Fe三种掺杂体系均同时具有半导体性质与磁性质，具备成为稀磁半导体所需的条件。