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本文通过等离子体增强化学气相沉积（PFCVD）法沉积p型纳米非晶硅薄膜（na-Si：H），系统地研究了掺杂气体比（B2H6/SiH4）、沉积温度、射频电源功率对薄膜结构、光学、电学性能的影响。研究表明，轻掺硼有利于非晶硅薄膜晶化，但随着掺硼量的增加，硼的“毒化”作用又使薄膜变为非晶态；与P型a-Si：H相比，掺硼纳米硅薄膜的光学带隙Eopt较高，电导率较高，电导激活能较低，是一种很有潜力的太阳能电池窗口层材料。