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采用脉冲激光沉积（PLD）法在单晶Si（100）衬底上生长ZnO薄膜，以X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和透射电镜（TEM）等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌。优化工艺（700℃，20Pa）下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向，柱状晶垂直衬底表面生长，结构致密均匀。室温光致发光（PL）谱分析结果表明，随着薄膜生长时O2分压的增大，近带边紫外发光峰与深能级发光峰之比显著增强，表明薄膜的结晶性能和化学计量比都有了很大的改善。O2分压为20Pa时所生长的ZnO薄膜具有较理想的化学计量比和