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用Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量薄Ｎｉ靶在９－４６ｋｅＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。测量结果与前人的实验和理论计算以及经验公式的计算结果作了比较。
9—46keV电子引直怕Ni的K壳层电离截面
【摘 要】
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用Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量薄Ｎｉ靶在９－４６ｋｅＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。测量结果与前人的实验和理论计算以及经验公式的计算结果作了比较。
【机 构】
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四川大学原子核科学技术研究所
【出 处】
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原子与分子物理学报
【发表日期】
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1994年2期
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