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利用锗硅单晶（锗浓度约为10^19cm^-3)切制成的籽晶和一般无位锗硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平衡降低拉速的工艺，生长了直径为60，50，和40mm，掺锗量为0．1％和0．5％（锗硅重量比）的锗硅单晶，利用化学腐蚀－金相显微镜法，扫描电子显微镜（SEM）能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况，发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同，体内存在着较高密度的氧微沉淀，在晶体尾部，由于锗的分凝使熔体中锗高度富集，出现了、组分过冷”现象，