【摘 要】
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以导电玻璃(ITO)为基底,采用电沉积法制备纳米硒。在单一变量的基础上结合正交试验和响应面试验,探讨了制备条件对纳米硒光电压的影响。结果表明:在沉积电压1.7 V、沉积温度3
【机 构】
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桂林理工大学化学与生物学院,桂林理工大学环境科学与工程学院,桂林电子科技大学生命与环境科学学院
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以导电玻璃(ITO)为基底,采用电沉积法制备纳米硒。在单一变量的基础上结合正交试验和响应面试验,探讨了制备条件对纳米硒光电压的影响。结果表明:在沉积电压1.7 V、沉积温度30℃、沉积时间7 min、硫脲用量为1 mmol时,纳米硒的光电压值最高,达0.868 4 V;由紫外-可见吸收光谱测得其禁带宽度E_g=1.84 e V;SEM分析发现,纳米硒呈棒状及莲花状结构,棒直径约为100 nm,长度为3~6μm;XRD表征结果显示,纳米硒主要为3种晶系的混晶系纳米晶体,在2θ为37.188°、45.246°、60.324°处分别出现斜方晶系纳米硒的(120)、(200)和(211)晶面,在2θ为30.141°、50.701°处分别出现六方晶系纳米硒的〈101〉、{11-1}晶面,在2θ为35.522°处出现单斜晶系纳米硒的[120]晶面,其中以〈101〉晶面和[120]晶面为择优生长取向。
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