【摘 要】
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采用密度泛函理论（DFT）的总体能量的平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似（GGA）,对Ni掺杂AlN32原子超原胞体系分别进行了几何结构优化,计算和分析了Ni掺杂AlN的结构、能带、电子
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（60877069）, 广东省科技攻关资助项目（2007A010500011 2008B010200041）
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采用密度泛函理论（DFT）的总体能量的平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似（GGA）,对Ni掺杂AlN32原子超原胞体系分别进行了几何结构优化,计算和分析了Ni掺杂AlN的结构、能带、电子态密度、集居数及体系总能.结果表明,Ni掺杂AlN会产生自旋极化,能带结构显示6.25%Ni掺杂AlN呈现半金属性质,有铁磁性,铁磁性可以用Ni和相邻的N之间的p-d杂化机制来解释.Ni掺杂的AlN应该是一种有应用前景的稀磁半导体DMS.
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