【摘 要】
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分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET（HV double diffuse drain MOSFET）模拟过程中产生的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MESFET,二极管等常规SPICE器件组成的高
【机 构】
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华东师范大学信息学院电子系,上海集成电路研发中心
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分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET（HV double diffuse drain MOSFET）模拟过程中产生的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MESFET,二极管等常规SPICE器件组成的高压晶体管宏模型.该宏模型结构简单、使用方便,能准确描述HVMOS的I-V特性.为了提高该模型的尺寸可缩放性（scalability）,将MESFET阈值电压对体电压的敏感因子K1进行优化,提取了不同沟道尺寸（W/L）下K1取值的半经验公式,使该宏模型能够适用于不同尺寸的晶体管,
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