【摘 要】
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本文在初步探索了闭管热氧化法生长GaAs自生氧化膜生长条件的基础上,进一步对薄膜的生长规律进行了研究。实验发现在As_2O_3过量的条件下,自生氧化膜的厚度可达1μm以上,其生
【机 构】
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本文在初步探索了闭管热氧化法生长GaAs自生氧化膜生长条件的基础上,进一步对薄膜的生长规律进行了研究。实验发现在As_2O_3过量的条件下,自生氧化膜的厚度可达1μm以上,其生长速率大约为1000A/hr。同时也开展了对氧化膜的化学稳定性、光学、电学特性以及对杂质Zn的掩蔽扩散特性的初步研究,并利用平面工艺试制了具有变容管特性的样管。
Based on the preliminary exploration of growth conditions of GaAs auto-grown oxide grown by closed-tube thermal oxidation, the growth rules of the films were further studied. It was found that under the condition of excessive As 2 O 3, the thickness of the autogenic oxide film can reach more than 1μm, and its growth rate is about 1000A / hr. At the same time, a preliminary study on the chemical stability, optical and electrical properties of the oxide film and the masking and diffusion characteristics of the impurity Zn has also been carried out. A prototype tube with varactor features has been fabricated by the planar process.
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